※ CMP Polisher II
제작회사
▶ G&P (Korea)
Model
▶ POLI-300
장비요약
▶ 8", 12" wafer의 연마
주요사양
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Rotation Speed |
Head: 30 ~ 200 RPM Table: 30 ~ 200 RPM |
System 구성 - CMP polisher - Air compressure |
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Head Oscillation |
± 12 mm |
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Table Size |
Φ 406 mm (16") |
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Head Pressure |
Φ 70 ~ 700 g/㎠ (1 ~ 10 psi) |
▶ SiO2, Si3N4, poly Si, Cu, W 막 연마 가능
▶ 한 번에 한 가지의 wafer 연마
▶ 자세한 사양 및 공정 범위에 대해서는 담당자에게 문의
특이사항
▶ 공정 가능 sample 종류: wafer
▶ Loading Size: 4 X 4 ㎠, 6 X 6 ㎠ (두께: 300 um ~ 1 mm)
▶ 공정에 필요한 wafer와 slurry는 의뢰자가 준비
장비 담당자
▶ 배재영 연구원 (Tel: 02-2220-0234, Mail: jaeyoungb@daum.net)
▶ 김성인 연구원 (Tel: 02-2220-0234, Mail: jangbi25805@nate.com)