※ 12" Multi Chamber Cluster Sputtering System
제작회사
▶ ULVAC (Japan)
Model
▶ ENTRON-1
장비요약
▶ 12" wafer가 loading 가능한 sputtering system
주요사양
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증착 가능한 물질 |
GeTe, Sb2Te3, Mo, Ta, Co, Ru, Pt, Fe, Ti, Co2Fe6B2, MgO, W, Ni, Co2FeAl, Hf, Cr, HfB |
System 구성 - 4 process chambers - 3 targets / chamber - 1 oxidation chamber (natural) - Temperature control (0 ~ 450℃) - Control PC |
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Vacuum Level |
1 X 10^-9 Torr |
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박막 Guarantee 범위 |
250 mm 내에 5 % 이하의 오차율 (1 nm 이하 증착시 담당자와 협의 후 진행) |
▶ Ar, N2, O2 gas 사용 가능
▶ 4 chamber 중 1 chamber만 온도 조절 가능
▶ O2 flow를 통한 natural oxidation 가능 (온도조절 불가)
▶ 모든 chamber의 stage rotation on/off 가능
▶ 한 chamber 내의 3 target co-sputtering 가능
▶ 자세한 사양 및 공정 범위에 대해서는 담당자에게 문의
특이사항
▶ 공정 가능 sample 종류: Si wafer
▶ Loading Size: 12" (두께: 700 um ~ 1 mm)
▶ 공정에 필요한 wafer는 의뢰자가 준비
▶ Wafer에 PR 또는 polymer 계열의 물질이 coating된 경우 공정 진행 불가
▶ 방전 조건 등은 기본 조건을 참고하되, 변경시 담당자와 협의 필요
▶ Target 교체시 장시간이 소요되므로 의뢰 전 담당자에게 문의
장비 담당자
▶ 최진영 연구원 (Tel: 02-2220-0234, Mail: viperking607@naver.com)
▶ 최요한 연구원 (Tel: 02-2220-0247, Mail: chjinsu3@naver.com)