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Patents

 

    ※ 특허 등록

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등록일

특허명

출원인(출원기관)

등록번호

149

2017.07.05

메모리 소자 (Memory device)

한양대학교 산학협력단

10-1756883

148

2017.03.24

메모리 소자 (Memory device)

한양대학교 산학협력단

10-1721618

147

2017.02.03

메모리 소자 (Memory device)

한양대학교 산학협력단

10-1705125

146

2017.01.04

메모리 소자 (Memory device)

한양대학교 산학협력단

10-1698532

145

2016.09.23

메모리 소자 (Memory device)

한양대학교 산학협력단

10-1661275

144

2016.08.02

태양 전지 및 그 제조 방법

한양대학교 산학협력단

10-1646727

143

2016.06.29

메모리 소자

한양대학교 산학협력단

10-1636492

142

2016.03.15

MULTI-SELECTIVE POLISHING SLURRY COMPOSITION AND A SEMICONDUCTOR ELEMENT PRODUCTION METHOD USING THE SAME

한양대학교 산학협력단

9287132

141

2016.01.04

메모리 소자 (Memory device)

한양대학교 산학협력단

10-1583783

140

2015.08.27

메모리 소자 (Memory device)

한양대학교 산학협력단

10-1549625

139

2015.07.22

FLEXIBLE ELECTRO-OPTICAL APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME(가요성 전기 광학 장치 및 그 제조 방법)

한양대학교 산학협력단

1751789

138

2015.07.13

메모리 소자

한양대학교 산학협력단

10-1537715

137

2015.05.13

게르마늄 응축 공정을 잉요한 기판 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법

한양대학교 산학협력단

10-1521555

136

2015.03.18

CBRAM 소자 및 그 제조 방법

한양대학교 산학협력단

10-1505495

135

2015.03.18

무 커패시터 메모리 소자

한양대학교 산학협력단

10-1505494

134

2015.02.01

LUMINESCENT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

한양대학교 산학협력단

I 472262

133

2015.01.16

비휘발성 메모리 소자 (Nonvolatile memory device)

한양대학교 산학협력단

10-1485507

132

2015.01.08

비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 (NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-1482723

131

2014.11.27

이종접합 양자점 실리콘 태양전지(Silicon Solar-cell Implemented with core/shell quantum dot)

한양대학교 산학협력단

10-1468539

130

2014.11.24

싸이클로펜타디싸이오펜 기반의 중합체 및 이를 포함하는 유기 광전자 소자 {Cyclopentadithiophene-based polymers and organic optoelectronic device comprising the polymers} - 새로운 전도성 유기고분자의 합성

한양대학교 산학협력단

10-1466716

129

2014.11.04

비휘발성 메모리 소자(Nonvolatile memory device) - Rectified 1R memory cell

한양대학교 산학협력단

10-1460165

128

2014.10.14

무 커패시터 메모리 소자(CAPACITOR-LESS MEMORY DEVICE)

한양대학교 산학협력단

8860109

127

2014.08.18

도너+억셉터 물질을 포함하는 유기고분자메모리 (NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-1433273

126

2014.08.11

DISPLAY AND METHOD OF DRIVING THE SAME (표시장치 및 그 구동 방법)

한양대학교 산학협력단

I449461

125

2014.07.11

무 캐패시터 메모리 소자 및 그 제조 방법(Capacitor-less memory device and method of manufacturing the same)

한양대학교 산학협력단

10-1420708

124

2014.07.11

전도성 고분자를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 {Non-Volatile memory comprising conductive polymer and fabrication method thereof} -새로운 전도성 유기고분자를 포함하는 유기 메모리 소자

한양대학교 산학협력단

10-1420720

123

2014.05.12

상변화 물질 연마용 슬러리 및 이를 이용한 상변화 소자 제조 방법 (Slurry for polishing phase change material and method for patterning polishing phase change material using the same)

한양대학교 산학협력단

10-1396232

122

2014.04.22

유기 CMOS 이미지 센서와 그 구동 방법(Organic CMOS Image Sensor Structure and Operation)

한양대학교 산학협력단

10-1389790

121

2014.03.14

무 커패시터 메모리 소자(CAPACITOR-LESS MEMORY DEVICE)

한양대학교 산학협력단

5496184

120

2013.12.11

무 커패시터 메모리 소자 (CAP-LESS MEMORY DEVICE)

한양대학교 산학협력단

 I419327

119

2013.12.10

상변환 물질 연마용 슬러리 및 이를 이용한 상변환 물질의 패터닝 방법 (SLURRY FOR POLISHING PHASE CHANGEABLE MATERIAL AND METHOD FOR PATTERNING POLISHING PHASE CHAGEABLE MATERIAL USING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-1341875

118

2013.11.22

태양전지 및 그 제조방법 (Solar cell and method of manufacturing the same)

한양대학교 산학협력단

10-1334222

117

2013.08.27

BENZOBIS (THIADIAZOLE)-BASED ALTERNATING COPOLYMER AND PREPARATION THEREOF(벤조비스(티아디아졸) 기반의 교대공중합체와 이의 제조방법)

한양대학교 산학협력단

8519087

116

2013.08.21

METHOD OF DRIVING DISPLAY PANEL (표시장치의 구동방법)

한양대학교 산학협력단

I406226

115

2013.07.08

멀티 선택비를 갖는 연마 슬러리 조성물 및 이를 사용한 반도체 소자 제조방법 (Multi-selective polishing slurry composition and method for fabricating semiconductor device using the same)

한양대학교 산학협력단

10-1285948-0000

114

2013.05.14

디스플레이 패널의 구동방법(METHOD OF DRIVING DISPLAY PANEL)

한양대학교 산학협력단

US8441472B2

113

2013.04.19

LUMINESCENCE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME (발광 소자, 그 제조 방법 및 이를 구비하는 표시 장치)

한양대학교 산학협력단

5247797

112

2012.12.03

절연막 연마 슬러리 조성물 및 이를 사용한 반도체 소자 제조방법(Insulating layer polishing slurry composition and method for fabricating semiconductor device using the same)

한양대학교 산학협력단

10-1210125-0000

111

2012.11.20

LUMINESCENCE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME (발광 소자 및 그 제조 방법)

한양대학교 산학협력단

US8,315,080

110

2012.11.05

투명하고 휘어지는 실리콘 기판 제조 방법 및 그에 따라 제조된 실리콘 웨이퍼 (METHOD OF TRANSPARENCY AND FLEXIBLE SILICON AND SILICON WAFER FABRICATED BY THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-1200120-0000

109

2012.07.31

Conductive organic non-volatile memory device with nanocrystals embedded in an amorphous barrier layer

한양대학교 산학협력단

 US8,233,313

108

2012.06.25

폴리 실리콘 대비 실리콘 산화물에 대한 식각 선택비가 향상된 연마 슬러리 조성물 및 이를 사용한 반도체 (Polishing slurry composition having improved etch selectivity of silicon oxide to poly silicon and method for fabricating semiconductor device using the same)

한양대학교 산학협력단

10-1161482-0000

107

2012.03.30

FLEXIBLE ELECTRO-OPTICAL APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME(가요성 전기 광학 장치 및 그 제조 방법)

한양대학교 산학협력단

4959552

106

2011.11.22

양면 수광 유기태양전지 (Dual-side light absorption organic solar cell)

한양대학교 산학협력단

10-1087903-0000

105

2011.11.22

근접 게터링 능력을 가진 나노 에스오아이 웨이퍼의 제조방법 및 그에 따라 제조된 나노 에스오아이 웨이퍼 (METHOD OF FABRICATING NANO-SOI WAFER HAVING PROXIMITY GETTERING ABILITY AND NANO-SOI WAFER FABRICATED BY THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-1087905-0000

104

2011.11.22

CMP SLURRY, PREPARATION METHOD THEREOF AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE USING THE SAME (CMP용 슬러리와 이의 제조 방법 및 기판의 연마 방법)

한양대학교 산학협력단

주식회사 케이씨텍

US8,062,547

103

2011.11.04

연마용 슬러리 (SLURRY FOR POLISHING)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

10-1082620-0000

102

2011.09.09

태양 전지 및 그 제조 방법(Solar cell and the manufacturing method thereof) -2개 이상의 도너물질을 포함하는 태양전지 및 그 제조방법

한양대학교 산학협력단

10-1065798-0000

101

2011.09.02

FLEXIBLE SINGLE-CRYSTAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME (가요성 단결정 필름 및 그 제조 방법)

한양대학교 산학협력단

4814873

100

2011.06.21

SLURRY FOR CMP AND METHOD OF FABRICATING THE SAME AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE (CMP용 슬러리와 이의 제조 방법 및 기판의 연마 방법)

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

I343944

99

2010.11.16

SLURRY COMPOSITION FOR CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING CAPABLE OF COMPENSATING NANOTOPOGRAPHY EFFECT AND METHOD FOR PLANARIZING SURFACE OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME

SUMITOMO MITSUBISHI SILICON CORPORATION

학교법인 한양학원

US7,833,908

98

2010.11.10

발광 소자 및 그 제조 방법 (LUMINESCENCE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-0994677-0000

97

2010.09.01

SLURRY COMPOSITION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING, METHOD FOR PLANARIATION OF SURFACE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME, AND METHOD FOR CONTROLLING SELECTION RATIO OF SLURRY COMPOSITION  (화학기계적 연마용 슬러리 조성물, 이를 이용한 반도체소자의 표면 평탄화 방법 및 슬러리 조성물의 선택비)

SUMITOMO MITSUBISHI SILICON CORPORATION

학교법인 한양학원

ZL200380107825.3

96

2010.05.14

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD(반도체 기판 및 그의 제조방법)

SUMITOMO MITSUBISHI SILICON CORPORATION

학교법인 한양학원

4509488

95

2010.04.21

LAMINATED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND PROCESS FORPRODUCING THE SAME (접합 반도체 기판 및 그 제조방법)

주식회사 사무코

학교법인 한양학원

ZL20040015389.1

94

2009.11.06

디스플레이 패널의 구동방법 (METHOD OF DRIVING DISPLAY PANEL)

한양대학교 산학협력단

10-0926687-0000

93

2009.10.06

표시장치 및 그 구동 방법 (DISPLAY AND METHOD OF DRIVING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-0921506-0000

92

2009.09.22

FLEXIBLE SINGLE-CRYSTAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME (가요성 단결정 필름 및 그 제조 방법)

한양대학교 산학협력단

US7,592,239B2

91

2009.09.22

FLEXIBLE ELECTRO-OPTICAL APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME (가요성 전기광학 장치 및 그 제조 방법)

한양대학교 산학협력단

US7,592,239B2

90

2009.04.22

FLEXIBLE SINGLE-CRYSTAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME (가요성 단결정 필름 및 그 제조 방법)

한양대학교 산학협력단

ZL200480043169.X

89

2009.04.22

FLEXIBLE ELECTRO-OPTICAL APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME(가요성 전기 광학 장치 및 그 제조 방법)

한양대학교 산학협력단

ZL200480043122.3

88

2009.02.17

BONDED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD THEREOF

주식회사 사무코

한양대학교 산학협력단

US7,491,342B2

87

2008.12.30

POLISHING SLURRY, METHOD OF PRODUCING SAME, AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE (CMP용 슬러리 및 그의 제조법)

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

US7,470,295B2

86

2008.11.04

전도성 고분자 유기물내 나노크리스탈층이 장착된 비휘발성 메모리소자 및 이의 제조방법 (NON-VOLATILE MEMORY FABRICATED WITH EMBEDDED NANO-CRYSTALS IN CONDUCTIVE POLYMER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

삼성전자 주식회사

10-0868096-0000

85

2008.08.26

전도성 고분자내 나노크리스탈이 장착된 유기 비휘발성메모리 (NON-VOLATILE MEMORY WITH CONDUCTING POLYMER ENBEDDED BY NANO-CRYSTALS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

삼성전자 주식회사

10-0855559-0000

84

2008.05.21

MANUFACTURING METHOD OF NANO SOI WAFER AND NANO SOI WAFER MANUFACTURED THEREBY (나노 에스오아이 웨이퍼의 제조방법 및 그에 따라 제조된 나노 에스오아이 웨이퍼)

한양대학교 산학협력단

100389477

83

2008.04.29

SLURRY FOR CMP AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE USING SAME (연마용 슬러리 및 기판 연마 방법)

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

US7,364,600B2

82

2008.03.04

METHOD OF FABRICATING NANO SOI WAFER AND NANO SOI WAFER FABRICATED BY THE SAME

한양대학교 산학협력단

주식회사 실트론

US7,338,882B2

81

2008.02.05

연마 입자, 이를 이용한 연마 슬러리 및 그 제조 방법 (POLISHING GRAIN AND POLISHING SLURRY USING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

주식회사 케이씨텍

10-0803729-0000

80

2007.10.17

유기 EL 소자 및 그 제조 방법 (ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-0769586-0000

79

2007.10.12

유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 (ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-0768506-0000

78

2007.10.12

반도체 기판 및 이의 제조 방법 (SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING OF THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-0768507-0000

77

2007.08.16

접합 반도체 기판 및 그 제조방법 (LAMINATED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND PROCESS FORPRODUCING THE SAME)

주식회사 사무코

학교법인 한양학원

10-0751265-0000

76

2007.06.21

SLURRY FOR CMP AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE USING SAME (연마용 슬러리 및 기판 연마 방법)

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

I283008

75

2007.04.27

에스오아이 웨이퍼의 제조 방법 (METHOD OF MANUFACTURING SOI WAFER)

한양대학교 산학협력단

10-0714822-0000

74

2007.02.28

유기 EL 디스플레이 및 그 제조 방법 (ORGANIC ELECTRO-LUMINESCENCE DISPLAY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-0691310-0000

73

2007.02.28

에스오아이 웨이퍼의 제조방법 및 그에 따라 제조된 에스오아이 웨이퍼 (METHOD OF FABRICATING SOI WAFER AND SOI WAFER FABRICATED BY THE SAME)

한양대학교 산학협력단

주식회사 실트론

 10-0691311-0000

72

2007.02.28

에스오아이 웨이퍼 (SOI WAFER)

한양대학교 산학협력단

주식회사 실트론

10-0691309-0000

71

2007.02.20

SOI STRUCTURE HAVING A SiGe LAYER INTERPOSED BETWEEN THE SILICON AND THE INSULATOR

SUMITOMO MITSUBISHI SILICON CORPORATION

박재근

US7,180,138B2

70

2007.02.10

POLISHING SLURRY, METHOD OF PRODUCING SAME, AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE (연마용 슬러리 및 이의 제조 방법 및 기판 연마 방법)

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

I273632

69

2007.01.25

스트레인드 실리콘층을 포함하는 반도체 웨이퍼, 그의 제조 방법 및 그를 이용한 반도체 소자 (SEMICONDUCTOR WAFER HAVING STRAINED SILICON LAYER, METHOD OF FABRICATING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

주식회사 실트론

10-0676827-0000

68

2006.12.28

화학기계적 연마용 세리아 슬러리 및 그 제조 방법 (CERIA SLURRY FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND ITS FABRICATION METHOD)

학교법인 한양학원

주식회사 케이씨텍

10-0665300-0000

67

2006.12.26

연마용 슬러리 및 이의 제조 방법 및 기판 연마 방법 (SLURRY FOR POLISHING AND METHOD OF MANUFACTURING THESAME AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATES)

학교법인 한양학원

주식회사 케이씨텍

10-0663905-0000

66

2006.11.30

비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법 (NON-VOLATILE MEMORY DEVICE WITH QUANTUM DOT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-0652134-0000

65

2006.11.23

안정된 다층 양자점을 가지는 유기 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법 (ORGANIC NON-VOLATILE MEMORY FABRICATED BY MULTI-LAYER OF QUANTUM DOTS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-0652135-0000

64

2006.11.09

CMP용 슬러리 및 그의 제조방법 (SLURRY FOR CMP AND METHODS OF FABRICATING THE SAME)

학교법인 한양학원

주식회사 케이씨텍

10-0646775-0000

63

2006.10.25

CMP용 슬러리와 이의 제조 방법 및 기판의 연마 방법 (SLURRY FOR CMP AND METHOD OF FABRICATING THE SAME AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE)

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

10-0641348-0000

62

2006.10.18

연마용 슬러리 및 이의 제조 방법 및 기판 연마 방법 (SLURRY FOR POLISHING AND MEHOD OF MANUFACTURING THESAME AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATES)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

10-0638317-0000

61

2006.10.16

화학기계적 연마용 세리아 슬러리 및 그 제조 방법 (CERIA SLURRY FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND ITS FABRICATION METHOD)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

10-0637400-0000

60

2006.10.16

연마 입자, 연마용 슬러리 및 이의 제조 방법 (ABRASIVE PARTICLES, SLURRY FOR POLISHING AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

10-0637403-0000

59

2006.09.27

집속 이온빔을 이용한 개구 및 마이크로 렌즈 시스템 제조방법, 그에 따라 제조된 마이크로 렌즈 시스템 (METHOD OF FABRICATING APERTURE AND MICRO-LENS SYSTEM BY FOCUSED ION BEAM AND MICRO-LENS SYSTEM FABRICATED BY THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-0631417-0000

58

2006.08.17

연마용 슬러리 및 이의 제조 방법 및 기판 연마 방법 (SLURRY FOR POLISHING AND MEHOD OF MANUFACTURING THESAME AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATES)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

10-0613836-0000

57

2006.07.04

연마용 슬러리 및 기판 연마 방법 (SLURRY FOR POLISHING AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATES)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

10-0599329-0000

56

2006.07.04

연마용 슬러리 및 기판 연마 방법 (SLURRY FOR POLISHING AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATES)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

10-0599328-0000

55

2006.07.04

CMP용 슬러리 및 그의 제조법 (SLURRY FOR CMP AND METHODS OF FABRICATING THE SAME)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

10-0599327-0000

54

2006.07.04

CMP용 고성능 슬러리 및 그를 이용한 기판 연마 방법 (SLURRY FOR CMP AND METHODS OF POLISHING SUBSTRATESUSING THE SAME)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

10-0599330-0000

53

2006.05.31

ARGON/AMMONIA RAPID THERMAL ANNEALING FOR SILICON WAFERS, SILICON WAFERS FABRICATED THEREBY AND CZOCHRALSKI PULLERS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS (아르곤/암모니아 급속 열적 어닐링 공정을 포함한 실리콘 웨이퍼의 제조 방법, 그에 따라 제조된 실리콘 웨이퍼 및 단결정 실리콘 잉곳의 제조를 위한 초크랄스키 풀러)

삼성전자 주식회사

118139

52

2006.05.22

연마용 슬러리 및 이의 제조 방법 (SLURRY FOR POLISHING AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

10-0584007-0000

51

2006.05.18

가요성 단결정 필름 및 그 제조 방법 (FLEXIBLE FILM WITH SINGLE CRYSTAL AND METHOD OFMANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-0583429-0000

50

2006.05.03

화학기계적 연마용 슬러리 조성물, 이를 이용한반도체소자의 표면 평탄화 방법 및 슬러리 조성물의선택비 제어방법 (SLURRY COMPOSITION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING, METHOD OF PLANARIZING SURFACE OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME AND METHOD OF CONTROLLING SELECTIVITY OF SLURRY COMPOSITION)

학교법인 한양학원

주식회사 사무코

10-0578596-0000

49

2006.05.03

ARGON/AMMONIA RAPID THERMAL ANNEALING FOR SILICON WAFERS, SILICON WAFERS AND SILICON WAFERS FABRICATED THEREBY (아르곤/암모니아 급속 열적 어닐링 공정을 포함한 실리콘 웨이퍼의 제조 방법, 그에 따라 제조된 실리콘 웨이퍼 및 단결정 실리콘 잉곳의 제조를 위한 초크랄스키 풀러)

삼성전자 주식회사

ZL02106772.4

48

2006.04.10

기판 접착 장치 (BONDING APPARATUS FOR SUBSTRATES)

한양대학교 산학협력단

주식회사 실트론

10-0571431-0000

47

2006.04.05

나노토포그라피 효과를 보상할 수 있는 화학기계적 연마용슬러리 조성물 및 이를 이용한 반도체소자의 표면 평탄화방법 (Slurry composition for chemical mechanical polishingcapable of compensating nanotopography effect andmethod of planarizing surface of semiconductor deviceusing the same)

한양대학교 산학협력단

주식회사 사무코

10-0570122-0000

46

2004.04.03

가요성 전기 광학 장치 및 그 제조 방법 (FLEXIBLE ELECTRO-OPTICAL DEVICE AND METHOD OFMANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-0569202-0000

45

2006.03.11

SEMI-PURE MONOCRYSTALLINE SILICON WAFERS, PURE MONOCRYSTALLINE SILICON WAFERS AND A CZOCHRALSKI PULLER (핫존로에서의 인상속도 프로파일을 조절하여 단결정 실리콘 잉곳 및 웨이퍼를 제조하는 방법, 그에 따라 제조된 잉곳 및 웨이퍼)

삼성전자 주식회사

제 I251039호

44

2006.01.20

단결정 가요성 필름 및 가요성 전기 광학 장치의 제조방법, 이를 제조하는 장치 (METHOD FOR FABRICATING FLEXIBLE SINGLE-CRYSTAL FILM AND FLEXIBLE ELECTRO-OPTICAL DEVICE, APPERATUS FORFABRICATING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-0547237-0000

43

2005.12.23

CMP용 세리아 연마제 및 그 제조 방법 (CERIA ABRASIVES FOR CMP AND METHODS OF FABRICATING THE SAME)

학교법인 한양학원

주식회사 케이씨텍

10-0539983-0000

42

2005.08.24

나노 에스오아이 웨이퍼의 제조방법 및 그에 따라 제조된 나노 에스오아이 웨이퍼 (METHOD OF FABRICATING NANO SOI WAFER AND NANO SOI WAFER FABRICATED BY THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-0511656-0000

41

2005.04.26

METHOD OF FABRICATING NANO SOI WAFER AND NANO SOI WAFER FABRICATED BY THE SAME

박재근

주식회사 실트론

US6,884,694B2

40

2005.04.21

단결정 실리콘 잉곳의 제조를 위한 초크랄스키 풀러 (CZOCHRALSKI PULLERS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS)

삼성전자 주식회사

10-0486311-0000

39

2005.01.27

자기장을 이용한 초크랄스키 풀러 및 이를 이용한 단결정잉곳 성장방법 (CZOCHRALSKI PULLER USING MAGNETIC FIELD AND METHOD OF GROWING SINGLE CRYSTAL INGOT USING THE SAME)

학교법인 한양학원

10-0470231-0000

38

2004.11.23

CZOCHRALSKI PULLERS INCLUDING HEAT SHIELD HOUSINGS HAVING SLOPING TOP AND BOTTOM

삼성전자 주식회사

US6,821,344B2

37

2004.10.22

아르곤/암모니아 급속 열적 어닐링 공정을 포함한 실리콘 웨이퍼의 제조방법 (METHOD OF FABRICATING SILICON WAFERS INCLUDING ARGON/AMMINIA RAPID THERMAL ANNEALING PROCESS)

삼성전자 주식회사

10-0455400-0000

36

2004.09.20

아르곤/암모니아 급속 열적 어닐링 공정을 포함한 실리콘 웨이퍼의 제조방법, 그에 따라 제조된 실리콘 웨이퍼 (METHOD OF FABRICATING SILICON WAFERS INCLUDING ARGON/AMMONIA RAPID THERMAL ANNEALING PROCESS, SILICON WAFERS FABRICATED THEREBY)

삼성전자 주식회사

10-0450676-0000

35

2004.08.24

ARGON/AMMONIA RAPID THERMAL ANNEALING FOR SILICON WAFERS

삼성전자 주식회사

US6,780,238B2

34

2004.01.30

CZOCHRALSKI PULLERS AND PULLING METHOD FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS BY CONTROLLING TEMPERATURE GRADIENTS AT THE CENTER AND EDGE OF AN INGOT-MELT INTERFACE (잉곳-용융물 경계의 중앙 및 가장자리에서의 온도구배의 조절에 의한 단결정 실리콘 잉곳의 제조를 위한 초크랄스키풀러, 상기 초크랄스키 풀러용 열차단제)

삼성전자 주식회사

제 186716호

33

2004.01.26

직경이 50-100㎚인 미세 산화세륨 입자의 제조방법 (METHOD FOR PREPARATION OF CERIUM OXIDE NANOPARTICLES HAVING 50-100㎚ IN DIAMETER)

학교법인 한양학원

주식회사 케이씨텍

10-0417530-0000

32

2004.01.26

글리코 써멀법에 의한 나노 크기 세리아 분말의 제조방법 (SYNTHESIS OF NANO SIZE CERIUM OXIDE BY GLYCOTHERMAL PROCESSING)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

10-0417529-0000

31

2004.01.13

CZOCHRALSKI PULLERS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS, INCLUDING HEAT SHIELD HAVING SLOPED PORTIONS

삼성전자 주식회사

US6,676,753B2

30

2003.05.20

제어된 결함 분포를 갖는 실리콘 웨이퍼 및 그의 제조공정 (SILICON WAFER HAVING CONTROLLED DISTRIBUTION OF DEFECTS, PROCESS FOR THE PREPARATION OF THE SAME)

삼성전자 주식회사

10-0385961-0000

29

2003.03.18

제어된 결함 분포를 갖는 실리콘 웨이퍼, 그의 제조공정및 단결정 실리콘 잉곳의 제조를 위한 초크랄스키 풀러 (SILICON WAFERS HAVING CONTROLLED DISTRIBUTION OF DEFECTS, PROCESS FOR THE PREPARATION OF THE SAME AND CZOCHRALSKI PULLER FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOT)

삼성전자 주식회사

10-0378184-0000

28

2003.01.07

SILICON WAFERS HAVING CONTROLLED DISTRIBUTION OF DEFECTS AND SLIP

삼성전자 주식회사

US6,503,594B2

27

2002.12.11

ARGON/AMMONIA RAPID THERMAL ANNEALING FOR A SILICON WAFER, SILICON WAFERS FABRICATED THEREBY AND CZOCHRALSKI PULLERS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS

삼성전자 주식회사

NI-168752호

26

2002.11.26

SILICON WAFERS HAVING CONTROLLED DISTRIBUTION OF DEFECTS, AND METHODS OF PREPARING THE SAME

삼성전자 주식회사

US6,485,807B1

25

2002.10.29

SEMI-PURE AND PURE MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS AND WAFERS

삼성전자 주식회사

US6,472,040B1

24

2002.09.01

SILICON WAFERS HAVING CONTROLLED DISTRIBUTION OF DEFECTS, METHODS OF PREPARING THE SAME, AND CZOCHRALSKI PULLERS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS

삼성전자 주식회사

제162795호

23

2002.06.25

INSULATING-CONTAINING RING-SHAPED HEAT SHIELDS AND SUPPORT MEMBERS FOR CZOCHRALSKI PULLERS

삼성전자 주식회사

US6,409,833B2

22

2002.04.16

웨이퍼의 제조방법 (METHOD FOR MANUFACTURING WAFER)

삼성전자 주식회사

10-0334576-0000

21

2002.03.25

잉곳-용융물 경계의 중앙 및 가장자리에서의 온도구배의 조절에 의한 단결정 실리콘 잉곳의 제조를 위한 초크랄스키 풀러, 상기 초크랄스키 풀러용 열차단체 및 상기 초크랄스키 풀러의 개량방법 (CZOCHRALSKI PULLERS AND PULLING METHODS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS BY CONTROLLING TEMPERATURE GRADIENTS AT THE CENTER AND EDGE OF AN INGOT-MELT INTERFACE)

삼성전자 주식회사

10-0331552-0000

20

2001.10.19

ANALYZATION OF DEFECT OF WAFER

삼성전자 주식회사

제3241296호

19

2001.08.27

웨이퍼의 제조방법 (METHOD FOR MANUFACTURING WAFER)

삼성전자 주식회사

10-0308183-0000

18

2001.06.26

INSULATING-CONTAINING RING-SHAPED HEAT SHIELDS FOR CZOCHRALSKI PULLERS

삼성전자 주식회사

US6,251,184B1

17

2001.04.28

웨이퍼의 포장방법 (METHOD FOR PACKAGING WAFER)

삼성전자 주식회사

10-0295429-0000

16

2001.04.24

핫존로에서의 인상속도 프로파일을 조절하여 단결정 실리콘 잉곳 및 웨이퍼를 제조하는 방법, 그에 따라 제조된 잉곳 및 웨이퍼 (PRODUCTION OF SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT AND WAFER BY ADJUSTING PULLING UP SPEED PROFILE IN HOT ZONE FURNACE AND INGOT AND WAFER PRODUCED BY THE SAME)

삼성전자 주식회사

10-0295040-0000

15

2001.01.09

WAFER PACKAGING METHOD

삼성전자 주식회사

US6,170,235B1

14

2000.11.14

CZOCHRALSKI PULLERS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS BY CONTROLLING TEMPERATURE AT THE CENTER AND EDGE OF AN INGOT-MELT INTERFACE

삼성전자 주식회사

US6,146,459B1

13

2000.04.04

METHODS OF MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS AND WAFERS BY CONTROLLING PULL RATE PROFILES IN A HOT ZONE FURNACE

삼성전자 주식회사

US6,045,610B1

12

2000.01.17

반도체장치 제조용 베어 웨이퍼 분석방법 (ANALYSING METHOD OF BARE WAFER)

삼성전자 주식회사

10-0252214-0000

11

2000.01.13

반도체용 배어 웨이퍼 상에 형성된 디펙트 분석방법 (DEFECT ANALYSING METHOD OF BARE WAFER)

삼성전자 주식회사

10-0251644-0000

10

1999.11.24

반도체 웨이퍼의 제조방법 (METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER)

삼성전자 주식회사

10-0244920-0000

9

1999.11.24

반도체 웨이퍼 디펙트 분석방법 (ANALYSIS METHOD FOR A WAFER DEFECT)

삼성전자 주식회사

10-0244916-0000

8

1999.11.09

METHODS OF TREATING CRYSTAL-GROWN WAFERS FOR SURFACE DEFECT ANALYSIS

삼성전자 주식회사

US5,980,720B1

7

1999.10.25

반도체 웨이퍼 열처리방법 및 이에 따라 형성된 반도체 웨이퍼 (Method of heat-treating semiconductor wafers and semiconductor wafers therewith)

삼성전자 주식회사

10-0240023-0000

6

1999.10.11

웨이퍼의 결함 분석방법 (DEFECT ANALYSING METHOD FOR WAFER)

삼성전자 주식회사

10-0237829-0000

5

1999.08.31

METHODS OF HEATING-TREATING SEMICONDUCTOR WAFERS

삼성전자 주식회사

US5,944,889B1

4

1999.01.19

동데코레이션 장치 및 동 데코레이팅 방법 (A APPARATUS FOR Cu DECORATION AND DECORATING METHOD)

삼성전자 주식회사

10-0189994-0000

3

1998.09.16

반도체 장치의 결함 분석방법 (DEFECT ANALYSIS METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE)

삼성전자 주식회사

10-0165332-0000

2

1993.03.08

초기 웨이퍼의 전 고온 열처리 방법 (HIGH TEMPERATURE ANNEALING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE)

삼성전자 주식회사

10-0060088-0000

1

1990.03.02

반도체 웨이퍼의 초기 산소농도 (OXYGEN CONCENTRATION METHOD OF SEMICONDUCTOR WAFER )

삼성전자 주식회사

10-0031977-0000

 

    ※ 특허 출원

#

출원일

출원명

출원인(출원기관)

출원번호

311

2017.02.15

복수의 이온 주입을 이용한 질화갈륨 기판의 제조 방법

한양대학교 산학협력단

10-2017-0020729

310

2017.02.15

코어-쉘 구조의 나노 입자를 이용한 질화갈륨 기판의 제조 방법

한양대학교 산학협력단

10-2017-0020732

309

2017.02.15

수소화물 기상증착법(HVPE)을 이용한 질화갈륨 기판의 제조 방법

한양대학교 산학협력단

10-2017-0020734

308

2017.02.03

메모리 소자

한양대학교 산학협력단

PCT/KR2017/001234

307

2016.12.28

SLURRY FOR POLISHING PHASE-CHANGE MATERIALS AND METHOD FOR PRODUCING A PHASE-CHANGE DEVICE USING SAME

한양대학교 산학협력단

15/392,441

306

2016.12.01

2단자 수직형 1T-디램 및 그 제조 방법

한양대학교 산학협력단

10-2016-0162666

305

2016.11.15

발광 입자, 발광 필름, 이를 포함하는 엘이디 패키지, 발광다이오드 및 표시장치

엘지디스플레이 주식회사,

한양대학교 산학협력단

10-2016-0152157

304

2016.09.02

뉴런 소자 및 그 구동 방법

한양대학교 산학협력단

10-2016-0113240

303

2016.09.02

시냅스 소자 및 그 구동 방법

한양대학교 산학협력단

10-2016-0113241

302

2016.07.28

METHOD OF MANUFACTURING A SUBSTRATE USING A GERMANIUM CONDENSATION PROCESS AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

201580006397.8

301

2016.06.07

SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREFORE

한양대학교 산학협력단

201480066817.7

300

2016.02.05

메모리 소자 (Memory device)

한양대학교 산학협력단

10-2016-0015176

299

2016.02.05

메모리 소자 (Memory device)

한양대학교 산학협력단

10-2016-0015154

298

2016.02.05

메모리 소자 (Memory device)

한양대학교 산학협력단

10-2016-0015139

297

2016.02.05

메모리 소자 (Memory device)

한양대학교 산학협력단

10-2016-0015086

296

2016.02.02

메모리 소자

한양대학교 산학협력단

PCT/KR2016/001137

295

2016.02.02

메모리 소자

한양대학교 산학협력단

PCT/KR2016/001135

294

2016.02.02

메모리 소자

한양대학교 산학협력단

PCT/KR2016/001134

293

2016.02.02

메모리 소자

한양대학교 산학협력단

PCT/KR2016/001130

292

2016.02.02

메모리 소자

한양대학교 산학협력단

PCT/KR2016/001124

291

2015.12.21

비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법 (NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-2015-0182889

290

2015.08.04

SLURRY FOR POLISHING PHASE-CHANGE MATERIALS AND METHOD FOR PRODUCING A PHASE-CHANGE DEVICE USING SAME

한양대학교 산학협력단

PO150136

289

2015.05.22

SOLAR CELL, AND METHOD FOR PRODUCING SAME

한양대학교 산학협력단

14/720,728

288

2015.05.12

CBRAM DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

한양대학교 산학협력단

14/710,546

287

2015.03.18

메모리 소자 (Memory device)

한양대학교 산학협력단

10-2015-0045174

286

2015.03.18

메모리 소자 (Memory device)

한양대학교 산학협력단

10-2015-0045173

285

2015.03.18

메모리 소자 (Memory device)

한양대학교 산학협력단

10-2015-0045172

284

2015.03.18

메모리 소자 (Memory device)

한양대학교 산학협력단

10-2015-0045171

283

2015.03.18

메모리 소자 (Memory device)

한양대학교 산학협력단

10-2015-0045170

282

2015.03.18

메모리 소자 (Memory device)

한양대학교 산학협력단

10-2015-0037234

281

2015.03.18

메모리 소자 (Memory device)

한양대학교 산학협력단

10-2015-0037233

280

2015.03.18

메모리 소자 (Memory device)

한양대학교 산학협력단

10-2015-0037232

279

2015.03.18

메모리 소자 (Memory device)

한양대학교 산학협력단

10-2015-0037231

278

2015.03.18

메모리 소자 (Memory device)

한양대학교 산학협력단

10-2015-0037230

277

2015.03.18

메모리 소자

한양대학교 산학협력단

PCT/KR2015/002608

276

2015.03.18

메모리 소자

한양대학교 산학협력단

PCT/KR2015/002607

275

2015.03.18

메모리 소자

한양대학교 산학협력단

PCT/KR2015/002606

274

2015.03.05

MULTI-SELECTIVE POLISHING SLURRY COMPOSITION AND A SEMICONDUCTOR ELEMENT PRODUCTION METHOD USING THE SAME

한양대학교 산학협력단

14/639,803

273

2015.01.27

게르마늄 응축 공정을 이용한 기판 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법

한양대학교 산학협력단

PCT/KR2015/000829

272

2015.01.26

NONVOLATILE MEMORY DEVICE

한양대학교 산학협력단

14/417,554

271

2015.01.23

이미지 센서용 웨이퍼 및 그 제조 방법 (Wafer for image sensor and method of manufacturing the same)

한양대학교 산학협력단

10-2015-0011073

270

2014.11.24

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR DRIVING SAME

한양대학교 산학협력단

14/403,573

269

2014.11.24

유기 CMOS 이미지 센서와 그 구동 방법

한양대학교 산학협력단

201380027022.0

268

2014.10.10

플라즈몬 효과를 이용한 유기태양전지

한양대학교 산학협력단

PCT/KR2014/009513

267

2014.09.25

Rectified 1R memory cell

한양대학교 산학협력단

10-2014-0128312

266

2014.08.08

400도의 후속열처리 공정을 위한 TiN 기판 또는 전극 위에서 W 씨앗층 및 캡핑층 이용한 수직 자기 터널링 접합(p-MTJ)의 제조 방법

한양대학교 산학협력단

10-2014-0102420

265

2014.08.08

400도의 후속열처리 공정을 위한 TiN 기판 또는 전극 위에서 W 씨앗층 및 캡핑층 이용한 수직 자기 터널링 접합(p-MTJ)의 제조 방법

한양대학교 산학협력단

10-2014-0102139

264

2014.08.08

400도의 후속열처리 공정을 위한 TiN 기판 또는 전극 위에서 W 씨앗층 및 캡핑층 이용한 수직 자기 터널링 접합(p-MTJ)의 제조 방법

한양대학교 산학협력단

10-2014-0102419

263

2014.07.03

수소이온주입을 통한 게터링 사이트 형성 및 이를 갖는 이미지 센서의 제조 방법

한양대학교 산학협력단

10-2014-0082864

262

2014.04.18

400도의 후속열처리 공정을 위한 TiN 기판 또는 전극 위에서 W 씨앗층 및 캡핑층 이용한 수직 자기 터널링 접합(p-MTJ)의 제조 방법

한양대학교 산학협력단

10-2014-0046563

261

2014.03.07

도너+억셉터 물질을 포함하는 유기고분자메모리

한양대학교 산학협력단

10-2014-0026928

260

2014.02.18

플라즈몬 효과를 이용한 유기태양전지 (USING THE PLASMON EFFECT OF ORGANIC PHOTOVOLTAIC CELLS)

한양대학교 산학협력단

10-2014-0018183

259

2014.01.28

다단계 게르마늄 응축공정을 이용한 고성능 반도체 소자용 게르마늄 기판 제작 및 방법 (MULTI-STEP GERMANIUM CONDENSATION PROCESS FOR HIGH PERFORMANCE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-2014-0010290

258

2013.11.14

CBRAM 소자 및 그 제조 방법

한양대학교 산학협력단

10-2013-0138421

257

2013.10.10

태양 전지 및 그 제조 방법 (USING THE PLASMON EFFECT OF ORGANIC PHOTOVOLTAIC CELLS)

한양대학교 산학협력단

10-2013-0120520

256

2013.07.31

메모리 소자(Memory device)

한양대학교 산학협력단

2009-0090702

255

2013.07.31

메모리 소자(Memory device)

한양대학교 산학협력단

10-2013-0090701

254

2013.05.21

이미지 센서 및 그 구동 방법 (Organic CMOS Image Sensor Structure and Operation)

한양대학교 산학협력단

PCT/KR2013/004432

253

2013.05.09

IMAGE SENSOR AND OPERATING METHOD THEREOF (Organic CMOS Image Sensor Structure and Operation)

한양대학교 산학협력단

102116455

252

2013.02.19

태양 전지 및 그 제조 방법 (Silicon Solar-cell Implemented with core/shell quantum dot)

한양대학교 산학협력단

PCT/KR13/01287

251

2012.12.07

이종접합 양자점 실리콘 태양전지 (Silicon Solar-cell Implemented with core/shell quantum dot)

한양대학교 산학협력단

10-2012-0141913

250

2012.08.05

SLURRY FOR POLISHING PHASE-CHANGE MATERIALS AND METHOD FOR PRODUCING A PHASE-CHANGE DEVICE USING SAME (상변화 물질 연마용 슬러리 및 이를 이용한 상변화 소자 제조 방법)

한양대학교 산학협력단

13/577,257

249

2012.07.27

NONVOLATILE MEMORY DEVICE

한양대학교 산학협력단

PCT/KR2012/6011

248

2012.07.25

NONVOLATILE MEMORY DEVICE

한양대학교 산학협력단

101126718

247

2012.05.24

유기 CMOS 이미지 센서와 그 구동 방법 (Organic CMOS Image Sensor Structure and Operation)

한양대학교 산학협력단

10-2012-0055491

246

2012.04.13

연마용 슬러리 및 이를 이용한 기판 연마 방법 (Polishing slurry and method of polishing using the same)

한양대학교 산학협력단

10-2012-0038419

245

2012.01.27

Dual light absorption organic solar cell (양면 흡수 태양전지 제조)

한양대학교 산학협력단

13/387,613

244

2012.01.23

Multi-Selective Polishing Slurry Composition And A Semiconductor Element Production Method Using The Same (멀티 선택비를 갖는 연마 슬러리 조성물 및 이를 사용한 반도체 소자 제조방법)

한양대학교 산학협력단

13/386,494

243

2011.11.174

BENZOBIS (THIADIAZOLE)-BASED ALTERNATING COPOLYMER AND PREPARATION THEREOF (벤조비스(티아디아졸) 기반의 교대공중합체와 이의 제조방법)

한양대학교 산학협력단

13/295,434

242

2011.11.11

텅스텐 연마용 CMP 슬러리 조성물 (CMP slurry composition for tungsten)

한양대학교 산학협력단

10-2011-0117872

241

2011.11.08

무 캐패시터 메모리 소자 및 그 제조 방법 (Capacitor-less memory device and method of manufacturing the same)

한양대학교 산학협력단

10-2011-0115712

240

2011.11.01

Conductive organic non-volatile memory device with nanocrystals embedded in an amorphous barrier layer

한양대학교 산학협력단

 13/286,861

239

2011.09.25

태양 전지 및 그 제조 방법(Solar cell and the manufacturing method thereof) - 2개 이상의 도너물질을 포함하는 태양전지 및 그 제조방법

한양대학교 산학협력단

13/260,335

238

2011.09.18

태양전지 및 그 제조방법 (Solar cell and method of manufacturing the same)

한양대학교 산학협력단

13/257,307

237

2011.08.31

비휘발성 메모리 소자(Nonvolatile memory device) - Rectified 1R memory cell

한양대학교 산학협력단

10-2011-0087856

236

2011.08.26

전도성 고분자를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 {Non-Volatile memory comprising conductive polymer and fabrication method thereof} - 새로운 전도성 유기고분자를 포함하는 유기 메모리 소자

한양대학교 산학협력단

10-2011-0085599

235

2011.08.24

싸이클로펜타디싸이오펜 기반의 중합체 및 이를 포함하는 유기 광전자 소자 {Cyclopentadithiophene-based polymers and organic optoelectronic device comprising the polymers} - 새로운 전도성 유기고분자의 합성

한양대학교 산학협력단

10-2011-0084722

234

2011.08.16

텅스텐 연마용 CMP 슬러리 조성물 {CMP slurry composition for tungsten}

한양대학교 산학협력단

10-2011-0081207

233

2011.03.07

半導体素子の表面平坦化方法 - SLURRY COMPOSITION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING, METHOD FOR PLANARIZATION OF SURFACE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME, AND METHOD FOR CONTROLLING SELECTION RATIO OF SLURRY COMPOSITION (화학기계적 연마용 슬러리 조성물, 이를 이용한 반도체소자의 표면 평탄화 방법 및 슬러리 조성물의 선택비)

학교법인 한양학원

주식회사 사무코

特願2011-049635

232

2011.02.25

무 캐패시터 메모리 소자 및 그 제조 방법 (Capacitor-less memory device and method of manufacturing the same)

한양대학교 산학협력단

10-2011-0016911

231

2011.02.18

비휘발성 메모리 소자(Nonvolatile memory device) - Rectified 1R memory cell

한양대학교 산학협력단

10-2011-0014540

230

2011.02.01

상변화 물질 연마용 슬러리 및 이를 이용한 상변화 소자 제조 방법 (Slurry for polishing phase change material and method for patterning polishing phase change material using the same)

한양대학교 산학협력단

PCT/KR2011/000749

229

2010.12.14

절연막 연마 슬러리 조성물 및 이를 사용한 반도체 소자 제조방법 (Insulating layer polishing slurry composition and method for fabricating semiconductor device using the same)

한양대학교 산학협력단

10-2010-0127889

228

2010.11.30

무 커패시터 메모리 소자(CAPACITOR-LESS MEMORY DEVICE)

한양대학교 산학협력단

9738995.1

227

2010.10.29

무 커패시터 메모리 소자(CAPACITOR-LESS MEMORY DEVICE)

한양대학교 산학협력단

2011-507351

226

2010.10.29

무 커패시터 메모리 소자(CAPACITOR-LESS MEMORY DEVICE)

한양대학교 산학협력단

12/990,353

225

2010.07.09

멀티 선택비를 갖는 연마 슬러리 조성물 및 이를 사용한 반도체 소자 제조방법 (Multi-selective polishing slurry composition and method for fabricating semiconductor device using the same)

한양대학교 산학협력단

PCT/KR10/004468

224

2010.07.07

양면 수광 유기태양전지(Dual-side light absorption organic solar cell)

한양대학교 산학협력단

PCT/KR10/004423

223

2010.05.12

비휘발성 메모리 소자(NON-VOLATILE MEMORY DEVICE) - 도너+억셉터 물질을 포함하는 유기고분자메모리

한양대학교 산학협력단

PCT/KR2010/003000

222

2010.03.24

태양 전지 및 그 제조 방법(Solar cell and the manufacturing method thereof) - 2개 이상의 도너물질을 포함하는 태양전지 및 그 제조방법

한양대학교 산학협력단

PCT/KR2010/001791

221

2010.03.22

태양 전지 및 그 제조 방법(Solar cell and the manufacturing method thereof) - 나노 크리스탈을 포함하는 태양전지 및 그 제조방법

한양대학교 산학협력단

PCT/KR2010/001750

220

2010.03.18

태양 전지 및 그 제조 방법(Solar cell and the manufacturing method thereof) - Tunneling barrier를 사용하는 tandom 구조 태양전지

한양대학교 산학협력단

PCT/KR2010/001685

219

2010.02.05

상변화 물질 연마용 슬러리 및 이를 이용한 상변화 소자 제조 방법 (Slurry for polishing phase change material and method for patterning polishing phase change material using the same)

한양대학교 산학협력단

10-2010-0011142

218

2009.10.29

무 커패시터 메모리 소자 및 이의 구동 방법 (Cap-less memory device)

한양대학교 산학협력단

10-2009-0103721

217

2009.10.23

디스플레이 패널의 구동방법(METHOD OF DRIVING DISPLAY PANEL)

한양대학교 산학협력단

12/451,066

216

2009.10.23

LUMINESCENCE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME (발광 소자, 그 제조 방법 및 이를 구비하는 표시 장치)

한양대학교 산학협력단

08741543.6

215

2009.10.23

LUMINESCENCE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME (발광 소자, 그 제조 방법 및 이를 구비하는 표시 장치)

한양대학교 산학협력단

2010-506048

214

2009.10.22

LUMINESCENCE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME (발광 소자, 그 제조 방법 및 이를 구비하는 표시 장치)

한양대학교 산학협력단

12/597,168

213

2009.10.09

폴리 실리콘 대비 실리콘 산화물에 대한 식각 선택비가 향상된 연마 슬러리 조성물 및 이를 사용한 반도체 (Polishing slurry composition having improved etch selectivity of silicon oxide to poly silicon and method for fabricating semiconductor device using the same)

한양대학교 산학협력단

10-2009-0096092

212

2009.07.30

양면 수광 유기태양전지 (Dual-side light absorption organic solar cell)

한양대학교 산학협력단

10-2009-0070107

211

2009.07.21

멀티 선택비를 갖는 연마 슬러리 조성물 및 이를 사용한 반도체 소자 제조방법 (Multi-selective polishing slurry composition and method for fabricating semiconductor device using the same)

한양대학교 산학협력단

10-2009-0066541

210

2009.05.15

도너+억셉터 물질을 포함하는 유기고분자메모리(NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-2009-0042370

209

2009.04.30

무 커패시터 메모리 소자 (CAP-LESS MEMORY DEVICE)

한양대학교 산학협력단

PCT/KR2009/002284

208

2009.04.30

무 커패시터 메모리 소자 (CAP-LESS MEMORY DEVICE)

한양대학교 산학협력단

98114394

207

2009.04.20

METHOD FOR FABRICATING NANO SOI WAFER

한양대학교 산학협력단

실트론

2009102446

206

2009.03.27

상변환 물질 연마용 슬러리 및 이를 이용한 상변환 물질의 패터닝 방법 (SLURRY FOR POLISHING PHASE CHANGEABLE MATERIAL AND METHOD FOR PATTERNING POLISHING PHASE CHAGEABLE MATERIAL USING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

12/383,858

205

2009.03.26

태양 전지 및 그 제조 방법(Solar cell and the manufacturing method thereof) - 2개 이상의 도너물질을 포함하는 태양전지 및 그 제조방법

한양대학교 산학협력단

10-2009-0025779

204

2009.03.24

나노 크리스탈을 포함하는 태양 전지 및 그 제조 방법 (Solar cell and the manufacturing method thereof)

한양대학교 산학협력단

10-2009-0024955

203

2009.03.18

태양전지 및 그 제조방법 (Solar cell and method of manufacturing the same)

한양대학교 산학협력단

10-2009-0023048

202

2008.12.11

POLISHING SLURRY, METHOD OF PRODUCING SAME, AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

12/333,179

201

2008.12.11

POLISHING SLURRY, METHOD OF PRODUCING SAME, AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

12/133,170

200

2008.04.30

상변환 물질 연마용 슬러리 및 이를 이용한 상변환 물질의 패터닝 방법 (SLURRY FOR POLISHING PHASE CHANGEABLE MATERIAL AND METHOD FOR PATTERNING POLISHING PHASE CHAGEABLE MATERIAL USING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-2008-0040889

199

2008.04.30

무 커패시터 메모리 소자 (CAP-LESS MEMORY DEVICE)

한양대학교 산학협력단

10-2008-0040888

198

2008.04.25

不揮発性メモリ素子及びその製造方法 (비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법)

하이닉스 반도체

2008116323

197

2008.04.24

디스플레이 패널의 구동방법 (METHOD OF DRIVING DISPLAY PANEL)

한양대학교 산학협력단

10-2008-0038071

196

2008.04.24

NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING CONDUCTIVE ORGANIC POLYMER HAVING NANOCRYSTALS EMBEDDED THEREIN AND  METHOD OF MANUFACTURING THE NONVOLATILE MEMORY DEVICE  (전도성 유기물 내 분리된 나노 크리스탈을 가지는 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법)

삼성전자 주식회사

12/108,590

195

2008.04.24

METHOD OF MANUFACTURING NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING CONDUCTIVE ORGANIC POLYMER HAVING NANOCRYSTALS EMBEDDED THEREIN (전도성 유기물 내 분리된 나노 크리스탈을 가지는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법)

삼성전자 주식회사

12/108,612

194

2008.04.24

METHOD OF DRIVING DISPLAY PANEL (표시장치의 구동방법)

한양대학교 산학협력단

PCT/KR2008/002339

193

2008.04.24

METHOD OF DRIVING DISPLAY PANEL (표시장치의 구동방법)

한양대학교 산학협력단

97115183

192

2008.04.24

LUMINESCENCE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME (발광 소자 및 그 제조 방법)

한양대학교 산학협력단

97115049

191

2008.04.24

DISPLAY AND METHOD OF DRIVING THE SAME (표시장치 및 그 구동 방법)

한양대학교 산학협력단

97115048

190

2008.04.23

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME (비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법)

하이닉스 반도체

12/597,168

189

2008.04.23

LUMINESCENCE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME (발광 소자 및 그 제조 방법)

한양대학교 산학협력단

12/597,168

188

2008.04.23

LUMINESCENCE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME (발광 소자 및 그 제조 방법)

한양대학교 산학협력단

PCT/KR2008/002309

187

2008.04.23

DISPLAY AND METHOD OF DRIVING THE SAME (표시장치 및 그 구동 방법)

한양대학교 산학협력단

PCT/KR2008/002310

186

2008.04.22

표시장치 및 그 구동 방법 (DISPLAY AND METHOD OF DRIVING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-2008-0037170

185

2008.04.22

발광 소자 및 그 제조 방법 (LUMINESCENCE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-2008-0037169

184

2008.04.14

비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 (NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

하이닉스 반도체

10-2008-0034118

183

2008.04.08

SLURRY COMPOSITION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING CAPABLE OF COMPENSATING NANOTOPOGRAPHY EFFECT AND METHOD FOR PLANARIZING SURFACE OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME (나노토포그라피 효과를 보상할 수 있는 화학기계적 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 반도체소자의 면)

SUMITOMO MITSUBISHI SILICON CORPORATION

학교법인 한양학원

200480012603.8

182

2008.01.01

SLURRY COMPOSITION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING, METHOD FOR PLANARIATION OF SURFACE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME, AND METHOD FOR CONTROLLING SELECTION RATIO OF SLURRY COMPOSITION (화학기계적 연마용 슬러리 조성물, 이를 이용한 반도체소자의 표면 평탄화 방법 및 슬러리 조성물의 선택비)

SUMITOMO MITSUBISHI SILICON CORPORATION

학교법인 한양학원

200380107825.3

181

2007.10.30

SLURRY FOR POLISHING (연마용 슬러리)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

200710301620.9

180

2007.07.13

POLISHING SLURRY, METHOD OF PRODUCING SAME, AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE (연마용 슬러리 및 이의 제조 방법 및 기판 연마 방법)

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

200710135810.8

179

2007.05.11

SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT AND WAFER PRODUCED BY ADJUSTING PULLING SPEED PROFILE IN HOT ZONE

삼성전자 주식회사

2007127354

178

2007.04.25

전도성 유기물 내 분리된 나노 크리스탈을 가지는 다중 레벨 유기 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법 (Multi-level organic non-volatile memory fabricated with conducting organic material embedded by oxidized nano-crystals and method for maunfacturing the same)

한양대학교 산학협력단

10-2007-0040519

177

2007.04.25

전도성 고분자내 나노크리스탈이 장착된 유기 비휘발성메모리 (NON-VOLATILE MEMORY WITH CONDUCTING POLYMER ENBEDDED BY NANO-CRYSTALS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

삼성전자 주식회사

10-2007-0040521

176

2007.04.25

전도성 고분자 유기물내 나노크리스탈층이 장착된 비휘발성 메모리소자 및 이의 제조방법 (NON-VOLATILE MEMORY FABRICATED WITH EMBEDDED NANO-CRYSTALS IN CONDUCTIVE POLYMER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

삼성전자 주식회사

10-2007-0040520

175

2007.04.24

발광 소자, 그 제조 방법 및 이를 구비하는 표시 장치 (Luminescence device and method of menufacturing the same)

한양대학교 산학협력단

10-2007-0039844

174

2007.01.01

SLURRY COMPOSITION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING, METHOD FOR PLANARIATION OF SURFACE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME, AND METHOD FOR CONTROLLING SELECTION RATIO OF SLURRY COMPOSITION  (화학기계적 연마용 슬러리 조성물, 이를 이용한 반도체소자의 표면 평탄화 방법 및 슬러리 조성물의 선택비)

SUMITOMO MITSUBISHI SILICON CORPORATION

학교법인 한양학원

10/540,992

173

2007.01.01

SLURRY COMPOSITION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING, METHOD FOR PLANARIATION OF SURFACE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME, AND METHOD FOR CONTROLLING SELECTION RATIO OF SLURRY COMPOSITION  (화학기계적 연마용 슬러리 조성물, 이를 이용한 반도체소자의 표면 평탄화 방법 및 슬러리 조성물의 선택비)

SUMITOMO MITSUBISHI SILICON CORPORATION

학교법인 한양학원

03786328.9

172

2007.01.01

SLURRY COMPOSITION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING CAPABLE OF COMPENSATING NANOTOPOGRAPHY EFFECT AND METHOD FOR PLANARIZING SURFACE OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME (나노토포그라피 효과를 보상할 수 있는 화학기계적 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 반도체소자의 면)

SUMCO CORPORATION

학교법인 한양학원

10/556,377

171

2006.11.27

FLEXIBLE SINGLE-CRYSTAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME (가요성 단결정 필름 및 그 제조 방법)

한양대학교 산학협력단

200480043169.X

170

2006.11.24

FLEXIBLE SINGLE-CRYSTAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME (가요성 단결정 필름 및 그 제조 방법)

한양대학교 산학협력단

04 774 545.0

169

2006.11.24

FLEXIBLE ELECTRO-OPTICAL APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME(가요성 전기 광학 장치 및 그 제조 방법)

한양대학교 산학협력단

04 774 546.8

168

2006.11.23

FLEXIBLE ELECTRO-OPTICAL APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME(가요성 전기 광학 장치 및 그 제조 방법)

한양대학교 산학협력단

200480043122.3

167

2004.10.30

FLEXIBLE SINGLE-CRYSTAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME (가요성 단결정 필름 및 그 제조 방법)

한양대학교 산학협력단

2007-510602

166

2006.10.30

FLEXIBLE ELECTRO-OPTICAL APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME(가요성 전기 광학 장치 및 그 제조 방법)

한양대학교 산학협력단

2007-510601

165

2006.10.27

LAMINATED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME

학교법인 한양학원

미츠비시 스미토모 실리콘 주식회사

EP04725535.0

164

2006.09.22

연마 입자, 이를 이용한 연마 슬러리 및 그 제조 방법 (POLISHING GRAIN AND POLISHING SLURRY USING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

주식회사 케이씨텍

10-2006-0092418

163

2006.06.02

CMP SLURRY, PREPARATION METHOD THEREOF AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE USING THE SAME (CMP용 슬러리와 이의 제조 방법 및 기판의 연마 방법)

한양대학교 산학협력단

주식회사 케이씨텍

11/421,965

162

2006.05.31

SLURRY FOR CMP AND METHOD OF FABRICATING THE SAME AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE (CMP용 슬러리와 이의 제조 방법 및 기판의 연마 방법)

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

95119789

161

2006.05.31

CMP SLURRY, PREPARATION METHOD THEREOF AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE USING THE SAME (CMP용 슬러리와 이의 제조 방법 및 기판의 연마 방법)

한양대학교 산학협력단

주식회사 케이씨텍

200610088503.4

160

2006.05.22

반도체 기판 및 이의 제조 방법 (SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING OF THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-2006-0045848

159

2006.05.19

유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 (ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-2006-0045316

158

2006.04.14

유기 EL 소자 및 그 제조 방법 (ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-2006-0034199

157

2005.12.28

연마용 슬러리 및 이의 제조 방법 (SLURRY FOR POLISHING AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME)

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

10-2005-0131395

156

2005.12.16

ABRASIVE PARTICLES, POLISHING SLURRY, AND PRODUCING METHOD THEREOF

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

200510134775.9

155

2005.12.16

ABRASIVE PARTICLES, POLISHING SLURRY, AND PRODUCING METHOD THEREOF

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

11/305,535

154

2005.12.08

ABRASIVE PARTICLES, POLISHING SLURRY, AND PRODUCING METHOD THEREOF

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

094143331

153

2005.11.14

CERIA ABRASIVE FOR CMP AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

한양대학교 산학협력단

200480012926.7

152

2005.11.10

SOI STRUCTURE HAVING A SiGe LAYER INTERPOSED BETWEEN THE SILICON AND THE INSULATOR

SUMITOMO MITSUBISHI SILICON CORPORATION

박재근

11/270,508

151

2005.09.30

접합 반도체 기판 및 그 제조방법 (LAMINATED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND PROCESS FORPRODUCING THE SAME)

주식회사 사무코

학교법인 한양학원

10-2005-7018566

150

2005.09.22

CERIA ABRASIVE FOR CMP AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

10/550,804

149

2005.09.02

스트레인드 실리콘층을 포함하는 반도체 웨이퍼, 그의 제조 방법 및 그를 이용한 반도체 소자 (SEMICONDUCTOR WAFER HAVING STRAINED SILICON LAYER, METHOD OF FABRICATING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

주식회사 실트론

10-2005-0081846

148

2005.07.29

에스오아이 웨이퍼의 제조 방법 (METHOD OF MANUFACTURING SOI WAFER)

한양대학교 산학협력단

10-2005-0069702

147

2005.07.28

POLISHING SLURRY, METHOD OF PRODUCING SAME, AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE (연마용 슬러리 및 이의 제조 방법 및 기판 연마 방법)

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

11/193,094

146

2005.07.27

POLISHING SLURRY, METHOD OF PRODUCING SAME, AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE (연마용 슬러리 및 이의 제조 방법 및 기판 연마 방법)

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

200510087181.7

145

2005.07.14

연마 입자, 연마용 슬러리 및 이의 제조 방법 (ABRASIVE PARTICLES, SLURRY FOR POLISHING AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME)

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

10-2005-0063665

144

2005.06.23

안정된 다층 양자점을 가지는 유기 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법 (ORGANIC NON-VOLATILE MEMORY FABRICATED BY MULTI-LAYER OF QUANTUM DOTS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-2005-0054292

143

2005.06.20

비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법 (NON-VOLATILE MEMORY DEVICE WITH QUANTUM DOT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-2005-0052928

142

2005.06.14

투명하고 휘어지는 실리콘 기판 제조 방법 및 그에 따라 제조된 실리콘 웨이퍼 (METHOD OF TRANSPARENCY AND FLEXIBLE SILICON AND SILICON WAFER FABRICATED BY THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-2005-0051169

141

2005.06.13

SOI STRUCTURE HAVING A SiGe LAYER INTERPOSED BETWEEN THE SILICON AND THE INSULATOR

SUMITOMO MITSUBISHI SILICON CORPORATION

박재근

11/150,292

140

2005.06.03

CMP용 슬러리와 이의 제조 방법 및 기판의 연마 방법 (SLURRY FOR CMP AND METHOD OF FABRICATING THE SAME AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE)

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

10-2005-0047646

139

2005.05.18

ARGON/AMMONIA RAPID THERMAL ANNEALING FOR SILICON WAFERS, SILICON WAFERS FABRICATED THEREBY AND CZOCHRALSKI PULLERS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS (아르곤/암모니아 급속 열적 어닐링 공정을 포함한 실리콘 웨이퍼의 제조 방법, 그에 따라 제조된 실리콘 웨이퍼 및 단결정 실리콘 잉곳의 제조를 위한 초크랄스키 풀러)

삼성전자 주식회사

10262145.4

138

2005.05.11

SLURRY FOR CMP AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE USING SAME (연마용 슬러리 및 기판 연마 방법)

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

200510069987.3

137

2005.05.11

SLURRY FOR CMP AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE USING SAME (연마용 슬러리 및 기판 연마 방법)

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

11/127,441

136

2005.05.06

SLURRY FOR CMP AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE USING SAME (연마용 슬러리 및 기판 연마 방법)

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

094114660

135

2005.03.21

METHOD OF FABRICATING NANO SOI WAFER AND NANO SOI WAFER FABRICATED BY THE SAME

한양대학교 산학협력단

주식회사 실트론

11/084,033

134

2005.03.11

POLISHING SLURRY, METHOD OF PRODUCING SAME, AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE (CMP용 슬러리 및 그의 제조법)

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

200610099589.0

133

2005.03.11

POLISHING SLURRY, METHOD OF PRODUCING SAME, AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE (CMP용 슬러리 및 그의 제조법)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

200510055087.3

132

2005.03.11

POLISHING SLURRY, METHOD OF PRODUCING SAME, AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE (CMP용 슬러리 및 그의 제조법)

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

11/078,538

131

2005.03.11

POLISHING SLURRY, METHOD OF PRODUCING SAME, AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE (CMP용 슬러리 및 그의 제조법)

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

094107443

130

2004.05.11

Slurry composition for chemical-mechanical polishing capable of compensating nanotopography effect and method for planarizing surface of semiconductor device using the same

Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation

학교법인 한양학원

10/556,377

129

2004.12.31

연마용 슬러리 및 이의 제조 방법 (SLURRY FOR POLISHING AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

10-2004-0118158

128

2004.12.31

POLISHING SLURRY, METHOD OF PRODUCING SAME, AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE (연마용 슬러리 및 이의 제조 방법 및 기판 연마 방법)

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

094124647

127

2004.12.29

ARGON/AMMONIA RAPID THERMAL ANNEALING FOR SILICON WAFERS, SILICON WAFERS FABRICATED THEREBY AND CZOCHRALSKI PULLERS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS (아르곤/암모니아 급속 열적 어닐링 공정을 포함한 실리콘 웨이퍼의 제조 방법, 그에 따라 제조된 실리콘 웨이퍼 및 단결정 실리콘 잉곳의 제조를 위한 초크랄스키 풀러)

삼성전자 주식회사

200407946-3

126

2004.12.21

에스오아이 웨이퍼 (SOI WAFER)

한양대학교 산학협력단

주식회사 실트론

10-2004-0109252

125

2004.12.16

연마용 슬러리 (SLURRY FOR POLISHING)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

10-2004-0107276

124

2004.11.22

화학기계적 연마용 세리아 슬러리 및 그 제조 방법 (CERIA SLURRY FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND ITS FABRICATION METHOD)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

10-2004-0095634

123

2004.10.07

CMP용 화학적 첨가제 및 이를 포함한 연마용 슬러리와 이의 제조 방법 및 기판 연마 방법 (CHEMICAL ABRASIVES FOR CMP AND SLURRY HAVING THE CHEMICAL ABRASIVES AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATES)

학교법인 한양학원

주식회사 케이씨텍

10-2004-0080068

122

2004.09.09

가요성 단결정 필름 및 그 제조 방법 (FLEXIBLE SINGLE-CRYSTAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

PCT/KR2004/002286

121

2004.09.09

가요성 단결정 필름 및 그 제조 방법 (FLEXIBLE FILM WITH SINGLE CRYSTAL AND METHOD OFMANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

PCT/KR2004/002286

120

2004.09.07

화학기계적 연마용 세리아 슬러리 및 그 제조 방법 (CERIA SLURRY FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND ITS FABRICATION METHOD)

학교법인 한양학원

주식회사 케이씨텍

10-2004-0071216

119

2004.08.26

연마용 슬러리 및 이의 제조 방법 및 기판 연마 방법 (SLURRY FOR POLISHING AND METHOD OF MANUFACTURING THESAME AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATES)

학교법인 한양학원

주식회사 케이씨텍

10-2004-0067536

118

2004.07.31

아르곤/암모니아 급속 열적 어닐링 공정을 포함한 실리콘 웨이퍼의 제조방법 (METHOD OF FABRICATING SILICON WAFERS INCLUDING ARGON/AMMINIA RAPID THERMAL ANNEALING PROCESS)

삼성전자 주식회사

10-2004-0060692

117

2004.07.31

단결정 실리콘 잉곳의 제조를 위한 초크랄스키 풀러 (CZOCHRALSKI PULLERS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS)

삼성전자 주식회사

10-2004-0060693

116

2004.07.28

연마용 슬러리 및 이의 제조 방법 및 기판 연마 방법 (SLURRY FOR POLISHING AND MEHOD OF MANUFACTURING THESAME AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATES)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

10-2004-0059246

115

2004.07.28

연마용 슬러리 및 이의 제조 방법 및 기판 연마 방법 (SLURRY FOR POLISHING AND MEHOD OF MANUFACTURING THESAME AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATES)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

10-2004-0059245

114

2004.07.22

근접 게터링 능력을 가진 나노 에스오아이 웨이퍼의 제조방법 및 그에 따라 제조된 나노 에스오아이 웨이퍼 (METHOD OF FABRICATING NANO-SOI WAFER HAVING PROXIMITY GETTERING ABILITY AND NANO-SOI WAFER FABRICATED BY THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-2004-0057081

113

2004.05.19

CMP용 고성능 슬러리 및 그를 이용한 기판 연마 방법 (SLURRY FOR CMP AND METHODS OF POLISHING SUBSTRATESUSING THE SAME)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

10-2004-0035455

112

2004.05.14

CERIA ABRASIVE FOR CMP

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

PCT/KR2004/001139

111

2004.05.14

CERIA ABRASIVE FOR CMP

학교법인 한양학원

주식회사 케이씨텍

10/550,804

110

2004.05.11

ナノトポグラフィ効果を補償し得る化学機械的研磨用スラリー組成物およびこれを利用した半導体 子の表面平坦化方法

SUMITOMO MITSUBISHI SILICON CORPORATION

학교법인 한양학원

2005-506057

109

2004.05.11

연마용 슬러리 및 기판 연마 방법 (SLURRY FOR POLISHING AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATES)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

10-2004-0033114

108

2004.05.11

SLURRY COMPOSITION FOR CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING CAPABLE OF COMPENSATING NANOTOPOGRAPHY EFFECT AND METHOD FOR PLANARIZING SURFACE OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME

SUMITOMO MITSUBISHI SILICON CORPORATION

학교법인 한양학원

10/556,377

107

2004.05.11

SLURRY COMPOSITION FOR CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING CAPABLE OF COMPENSATING NANOTOPOGRAPHY EFFECT AND METHOD FOR PLANARIZING SURFACE OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME

SUMITOMO MITSUBISHI SILICON CORPORATION

학교법인 한양학원

PCT/JP2004/006595

106

2004.05.04

연마용 슬러리 및 기판 연마 방법 (SLURRY FOR POLISHING AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATES)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

10-2004-0031279

105

2004.04.28

FLEXIBLE SINGLE-CRYSTAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME (가요성 단결정 필름 및 그 제조 방법)

한양대학교 산학협력단

10/833,050

104

2004.04.28

FLEXIBLE ELECTRO-OPTICAL APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME (가요성 전기광학 장치 및 그 제조 방법)

한양대학교 산학협력단

10/833,051

103

2004.04.22

금속막의 화학기계적 연마에서 부식을 방지할 수 있는 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 반도체소자의 표면 평탄화 방법 (SLURRY COMPOSITION FOR METAL CHEMICAL MECHANICAL POLISHING CAPABLE OF PREVENTING CORROSION AND METHOD OF PLANARIZING SURFACE OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-2004-0027673

102

2004.04.09

집속 이온빔을 이용한 개구 및 마이크로 렌즈 시스템 제조방법, 그에 따라 제조된 마이크로 렌즈 시스템 (METHOD OF FABRICATING APERTURE AND MICRO-LENS SYSTEM BY FOCUSED ION BEAM AND MICRO-LENS SYSTEM FABRICATED BY THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-2004-0024666

101

2004.04.09

에스오아이 웨이퍼의 제조방법 및 그에 따라 제조된 에스오아이 웨이퍼 (METHOD OF FABRICATING SOI WAFER AND SOI WAFER FABRICATED BY THE SAME)

한양대학교 산학협력단

주식회사 실트론

10-2004-0024667

100

2004.04.09

기판 접착 장치 (BONDING APPARATUS FOR SUBSTRATES)

한양대학교 산학협력단

주식회사 실트론

10-2004-0024668

99

2004.04.06

유기 EL 디스플레이 및 그 제조 방법 (ORGANIC ELECTRO-LUMINESCENCE DISPLAY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-2004-0023431

98

2004.04.02

LAMINATED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND PROCESS FORPRODUCING THE SAME (접합 반도체 기판 및 그 제조방법)

주식회사 사무코

학교법인 한양학원

200480015389

97

2004.04.02

LAMINATED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND PROCESS FORPRODUCING THE SAME (접합 반도체 기판 및 그 제조방법)

주식회사 사무코

학교법인 한양학원

04725535.1

96

2004.04.02

LAMINATED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME (반도체 기판 및 제조 방법)

SUMITOMO MITSUBISHI SILICON CORPORATION

학교법인 한양학원

PCT/JP2004/004886

95

2004.04.02

BONDED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD THEREOF

주식회사 사무코

한양대학교 산학협력단

2004-550761

94

2004.03.12

CMP용 슬러리 및 그의 제조법 (SLURRY FOR CMP AND METHODS OF FABRICATING THE SAME)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

10-2004-0016943

93

2004.01.14

CMP용 슬러리 및 그의 제조방법 (SLURRY FOR CMP AND METHODS OF FABRICATING THE SAME)

학교법인 한양학원

주식회사 케이씨텍

10-2004-0002743

92

2003.12.29

화학기계적 연마용 슬러리 조성물, 이를 이용한반도체소자의 표면 평탄화 방법 및 슬러리 조성물의선택비 제어방법 (SLURRY COMPOSITION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING, METHOD OF PLANARIZING SURFACE OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME AND METHOD OF CONTROLLING SELECTIVITY OF SLURRY COMPOSITION)

학교법인 한양학원

주식회사 사무코

10-2003-0099053

91

2003.12.25

SLURRY COMPOSITION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING, METHOD FOR PLANARIZATION OF SURFACE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME, AND METHOD FOR CONTROLLING SELECTION RATIO OF SLURRY COMPOSITION (화학기계적 연마용 슬러리 조성물, 이를 이용한 반도체소자의 표면 평탄화 방법 및 슬러리 조성물의 선택비)

SUMITOMO MITSUBISHI SILICON CORPORATION

학교법인 한양학원

PCT/JP2003/016813

90

2003.12.25

SLURRY COMPOSITION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING, METHOD FOR PLANARIZATION OF SURFACE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME, AND METHOD FOR CONTROLLING SELECTION RATIO OF SLURRY COMPOSITION (화학기계적 연마용 슬러리 조성물, 이를 이용한 반도체소자의 표면 평탄화 방법 및 슬러리 조성물의 선택비)

SUMITOMO MITSUBISHI SILICON CORPORATION

학교법인 한양학원

2004-564534

89

2003.12.25

SLURRY COMPOSITION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING, METHOD FOR PLANARIZATION OF SURFACE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME, AND METHOD FOR CONTROLLING SELECTION RATIO OF SLURRY COMPOSITION (화학기계적 연마용 슬러리 조성물, 이를 이용한 반도체소자의 표면 평탄화 방법 및 슬러리 조성물의 선택비)

SUMITOMO MITSUBISHI SILICON CORPORATION

학교법인 한양학원

10/540,992

88

2003.12.25

SLURRY COMPOSITION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING, METHOD FOR PLANARIZATION OF SURFACE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME, AND METHOD FOR CONTROLLING SELECTION RATIO OF SLURRY COMPOSITION (화학기계적 연마용 슬러리 조성물, 이를 이용한 반도체소자의 표면 평탄화 방법 및 슬러리 조성물의 선택비)

SUMITOMO MITSUBISHI SILICON CORPORATION

학교법인 한양학원

03786328.9

87

2003.08.11

MANUFACTURING METHOD OF NANO SOI WAFER AND NANO SOI WAFER MANUFACTURED THEREBY (나노 에스오아이 웨이퍼의 제조방법 및 그에 따라 제조된 나노 에스오아이 웨이퍼)

박재근

주식회사 실트론

2003291700

86

2003.08.06

MANUFACTURING METHOD OF NANO SOI WAFER AND NANO SOI WAFER MANUFACTURED THEREBY (나노 에스오아이 웨이퍼의 제조방법 및 그에 따라 제조된 나노 에스오아이 웨이퍼)

한양대학교 산학협력단

3127550.8

85

2003.05.23

단결정 가요성 필름 및 가요성 전기 광학 장치의 제조방법, 이를 제조하는 장치 (METHOD FOR FABRICATING FLEXIBLE SINGLE-CRYSTAL FILM AND FLEXIBLE ELECTRO-OPTICAL DEVICE, APPERATUS FORFABRICATING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-2003-0032841

84

2003.05.15

CMP용 세리아 연마제 및 그 제조 방법 (CERIA ABRASIVES FOR CMP AND METHODS OF FABRICATING THE SAME)

학교법인 한양학원

주식회사 케이씨텍

10-2003-0030880

83

2003.05.12

나노토포그라피 효과를 보상할 수 있는 화학기계적 연마용슬러리 조성물 및 이를 이용한 반도체소자의 표면 평탄화방법 (Slurry composition for chemical mechanical polishingcapable of compensating nanotopography effect andmethod of planarizing surface of semiconductor deviceusing the same)

한양대학교 산학협력단

주식회사 사무코

10-2003-0029678

82

2003.04.30

가요성 전기 광학 장치 및 그 제조 방법 (FLEXIBLE ELECTRO-OPTICAL DEVICE AND METHOD OFMANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-2003-0027824

81

2003.04.30

가요성 단결정 필름 및 그 제조 방법 (FLEXIBLE FILM WITH SINGLE CRYSTAL AND METHOD OFMANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-2003-0027825

80

2003.04.02

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD(반도체 기판 및 그의 제조방법)

SUMITOMO MITSUBISHI SILICON CORPORATION

학교법인 한양학원

2003-099541

79

2003.03.19

METHOD OF FABRICATING NANO SOI WAFER AND NANO SOI WAFER FABRICATED BY THE SAME

박재근

주식회사 실트론

10/391,297

78

2003.01.30

SOI STRUCTURE HAVING A SiGe LAYER INTERPOSED BETWEEN THE SILICON AND THE INSULATOR

SUMITOMO MITSUBISHI SILICON CORPORATION

박재근

10/354,197

77

2002.12.31

SLURRY COMPOSITION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING, METHOD OF PLANARIZING SURFACE OF SEMICONDUCTOR

한양대학교 산학협력단

10-2002-0087934

76

2002.10.30

제어된 결함 분포를 갖는 실리콘 웨이퍼 및 그의 제조공정 (SILICON WAFER HAVING CONTROLLED DISTRIBUTION OF DEFECTS, PROCESS FOR THE PREPARATION OF THE SAME)

삼성전자 주식회사

10-2002-0066625

75

2002.09.04

CZOCHRALSKI PULLERS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS, INCLUDING HEAT SHIELD HAVING SLOPED PORTIONS

삼성전자 주식회사

10/235,006

74

2002.09.04

ARGON/AMMONIA RAPID THERMAL ANNEALING FOR SILICON WAFERS

삼성전자 주식회사

10/235,023

73

2002.08.13

CZOCHRALSKI PULLERS INCLUDING HEAT SHIELD HOUSINGS HAVING SLOPING TOP AND BOTTOM

삼성전자 주식회사

10/217,635

72

2002.08.10

나노 에스오아이 웨이퍼의 제조방법 및 그에 따라 제조된나노 에스오아이 웨이퍼 (METHOD OF FABRICATING NANO SOI WAFER AND NANO SOI WAFER FABRICATED BY THE SAME)

한양대학교 산학협력단

10-2002-0047351

71

2002.06.18

ARGON/AMMONIA RAPID THERMAL ANNEALING FOR SILICON WAFERS, SILICON WAFERS FABRICATED THEREBY AND CZOCHRALSKI PULLERS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS (아르곤/암모니아 급속 열적 어닐링 공정을 포함한 실리콘 웨이퍼의 제조 방법, 그에 따라 제조된 실리콘 웨이퍼 및 단결정 실리콘 잉곳의 제조를 위한 초크랄스키 풀러)

삼성전자 주식회사

102 27 141.0

70

2002.06.11

ARGON/AMMONIA RAPID THERMAL ANNEALING FOR SILICON WAFERS, SILICON WAFERS FABRICATED THEREBY AND CZOCHRALSKI PULLERS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS (아르곤/암모니아 급속 열적 어닐링 공정을 포함한 실리콘 웨이퍼의 제조 방법, 그에 따라 제조된 실리콘 웨이퍼 및 단결정 실리콘 잉곳의 제조를 위한 초크랄스키 풀러)

삼성전자 주식회사

200203457-7

69

2002.06.07

ARGON/AMMONIA RAPID THERMAL ANNEALING FOR SILICON WAFERS, SILICON WAFERS FABRICATED THEREBY AND CZOCHRALSKI PULLERS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS (아르곤/암모니아 급속 열적 어닐링 공정을 포함한 실리콘 웨이퍼의 제조 방법, 그에 따라 제조된 실리콘 웨이퍼 및 단결정 실리콘 잉곳의 제조를 위한 초크랄스키 풀러)

삼성전자 주식회사

MI2002A001248

68

2002.05.10

METHOD OF MANUFACTURING SILICON WAFER INCLUDING Ar/NH3 RAPID THERMAL ANNEALING PROCESS, SILICON WAFER MANUFACTURED THEREBY, CZOCHRALSKI PULLER FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOT

삼성전자 주식회사

2002136234

67

2002.03.27

아르곤/암모니아 급속 열적 어닐링 공정을 포함한 실리콘 웨이퍼의 제조방법, 그에 따라 제조된 실리콘 웨이퍼 (METHOD OF FABRICATING SILICON WAFERS INCLUDING ARGON/AMMONIA RAPID THERMAL ANNEALING PROCESS, SILICON WAFERS FABRICATED THEREBY)

삼성전자 주식회사

10-2002-0016818

66

2002.03.07

ARGON/AMMONIA RAPID THERMAL ANNEALING FOR SILICON WAFERS, SILICON WAFERS AND SILICON WAFERS FABRICATED THEREBY (아르곤/암모니아 급속 열적 어닐링 공정을 포함한 실리콘 웨이퍼의 제조 방법, 그에 따라 제조된 실리콘 웨이퍼 및 단결정 실리콘 잉곳의 제조를 위한 초크랄스키 풀러)

삼성전자 주식회사

02106772.4

65

2002.03.01

ARGON/AMMONIA RAPID THERMAL ANNEALING FORSILICON WAFERS, SILICON WAFERS FABRICATED THEREBY AND CZOCHRALSKI PULLERS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS (아르곤/암모니아 급속 열적 어닐링 공정을 포함한 실리콘 웨이퍼의 제조 방법, 그에 따라 제조된 실리콘 웨이퍼 및 단결정 실리콘 잉곳의 제조를 위한 초크랄스키 풀러)

삼성전자 주식회사

PI20020743

64

2002.01.30

METHOD OF FABRICATING SOI WAFER HAVING SiGe LAYER THEREON

학교법인 한양학원

60/352,260

63

2002.01.15

ARGON/AMMONIA RAPID THERMAL ANNEALING FOR A SILICON WAFER, SILICON WAFERS FABRICATED THEREBY AND CZOCHRALSKI PULLERS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS

삼성전자 주식회사

90132485

62

2001.12.31

자기장을 이용한 초크랄스키 풀러 및 이를 이용한 단결정잉곳 성장방법 (CZOCHRALSKI PULLER USING MAGNETIC FIELD AND METHOD OF GROWING SINGLE CRYSTAL INGOT USING THE SAME)

학교법인 한양학원

10-2001-0088842

61

2001.12.18

화학기계적 연마용 슬러리, 이들 슬러리의 제조방법 및 이들 슬러리를 이용한 화학기계적 연마방법 (SLURRY FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING, METHOD OF FABRICATING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING USING THE SAME)

백운규

박재근

테크노세미켐 주식회사

10-2001-0080398

60

2001.06.28

SILICON WAFERS HAVING CONTROLLED DISTRIBUTION OF DEFECTS AND SLIP

삼성전자 주식회사

09/893,804

59

2001.06.28

ARGON/AMMONIA RAPID THERMAL ANNEALING FOR SILICON WAFERS, SILICON WAFERS FABRICATED THEREBY AND CZOCHRALSKI PULLERS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS

삼성전자 주식회사

09/893,804

58

2001.05.25

SILICON WAFERS HAVING CONTROLLED DISTRIBUTION OF DEFECTS, METHODS OF PREPARING THE SAME, AND CZOCHRALSKI PULLERS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS

삼성전자 주식회사

MI2001A001120

57

2001.05.25

SILICON WAFERS HAVING CONTROLLED DISTRIBUTION OF DEFECTS, METHODS OF PREPARING THE SAME, AND CZOCHRALSKI PULLERS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS

삼성전자 주식회사

200103159-0

56

2001.05.25

SILICON WAFERS HAVING CONTROLLED DISTRIBUTION OF DEFECTS, METHODS OF PREPARING THE SAME, AND CZOCHRALSKI PULLERS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS

삼성전자 주식회사

90112579

55

2001.05.25

SILICON WAFERS HAVING CONTROLLED DISTRIBUTION OF DEFECTS AND METHODS OF PREPARING THE SAME (제어된 결함 분포를 갖는 실리콘 웨이퍼, 그의 제조공정 및 단결정 실리콘 잉곳의 제조를 위한 초크랄스키 풀러)

삼성전자 주식회사

01123301.x

54

2001.05.24

SILICON WAFERS HAVING CONTROLLED DISTRIBUTION OF DEFECTS, METHODS OF PREPARING THE SAME, AND CZOCHRALSKI PULLERS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS

삼성전자 주식회사

PI20012486

53

2001.04.09

직경이 50-100㎚인 미세 산화세륨 입자의 제조방법 (METHOD FOR PREPARATION OF CERIUM OXIDE NANOPARTICLES HAVING 50-100㎚ IN DIAMETER)

학교법인 한양학원

주식회사 케이씨텍

10-2001-0018807

52

2001.04.09

글리코 써멀법에 의한 나노 크기 세리아 분말의 제조방법 (SYNTHESIS OF NANO SIZE CERIUM OXIDE BY GLYCOTHERMAL PROCESSING)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

10-2001-0018806

51

2001.03.09

INSULATING-CONTAINING RING-SHAPED HEAT SHIELDS AND SUPPORT MEMBERS FOR CZOCHRALSKI PULLERS

삼성전자 주식회사

09/803,471

50

2000.11.10

SILICON WAFERS HAVING CONTROLLED DISTRIBUTION OF DEFECTS, METHODS OF PREPARING THE SAME AND CZOCHRALSKI PULLERS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS (제어된 결함 분포를 갖는 실리콘 웨이퍼, 그의 제조 공정 및 단결정 실리콘 잉곳의 제조를 위한 초크랄스키 풀러)

삼성전자 주식회사

100 55 648.5

49

2000.11.10

SILICON WAFER HAVING CONTROLLED DEFECT DISTRIBUTION, ITS MANUFACTURING METHOD AND CZOCHRALSKI PULLER FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT

삼성전자 주식회사

2000344053

48

2000.10.31

SILICON WAFERS HAVING CONTROLLED DISTRIBUTION OF DEFECTS, AND METHODS OF PREPARING THE SAME

삼성전자 주식회사

09/702,503

47

2000.09.29

제어된 결함 분포를 갖는 실리콘 웨이퍼, 그의 제조공정및 단결정 실리콘 잉곳의 제조를 위한 초크랄스키 풀러 (SILICON WAFERS HAVING CONTROLLED DISTRIBUTION OF DEFECTS, PROCESS FOR THE PREPARATION OF THE SAME AND CZOCHRALSKI PULLER FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOT)

삼성전자 주식회사

10-2000-0057344

46

2000.06.30

SILICON WAFER AND ITS MANUFACTURING METHOD

MITSUBISHI MATERIALS SILICON CORP

2000198189

45

2000.03.01

CZOCHRALSKI PULLERS AND PULLING METHOD FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS BY CONTROLLING TEMPERATURE GRADIENTS AT THE CENTER AND EDGE OF AN INGOT-MELT INTERFACE (잉곳-용융물 경계의 중앙 및 가장자리에서의 온도구배의 조절에 의한 단결정 실리콘 잉곳의 제조를 위한 초크랄스키풀러, 상기 초크랄스키 풀러용 열차단제)

삼성전자 주식회사

89103608

44

1999.12.03

SEMI-PURE AND PURE MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS AND WAFERS

삼성전자 주식회사

09/454,675

43

1999.09.13

잉곳-용융물 경계의 중앙 및 가장자리에서의 온도구배의 조절에 의한 단결정 실리콘 잉곳의 제조를 위한 초크랄스키 풀러, 상기 초크랄스키 풀러용 열차단체 및 상기 초크랄스키 풀러의 개량방법 (CZOCHRALSKI PULLERS AND PULLING METHODS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS BY CONTROLLING TEMPERATURE GRADIENTS AT THE CENTER AND EDGE OF AN INGOT-MELT INTERFACE)

삼성전자 주식회사

10-1999-0038990

42

1999.09.10

퍼펙트 풀리 디플레션 사이목스 웨이퍼의 제조방법 (METHOD FOR MANUFACTURING THE PERFECT FULLY DEPLETION SIMOX WAFER)

삼성전자 주식회사

10-1999-0038564

41

1999.08.16

웨이퍼의 제조방법 (METHOD FOR MANUFACTURING WAFER)

삼성전자 주식회사

10-1999-0033715

40

1999.08.06

퍼펙트 풀리 디플레션 스마트컷 웨이퍼의 제조방법 (METHOD FOR MANUFACTURING THE PERFECT FULLY DEPLETION SMART-CUT WAFER)

삼성전자 주식회사

10-1999-0032246

39

1999.08.06

웨이퍼의 제조방법 (METHOD FOR MANUFACTURING WAFER)

삼성전자 주식회사

10-1999-0032247

38

1999.08.02

퍼펙트 풀리 디플레션 본디드 웨이퍼의 제조방법 (METHOD FOR MANUFACTURING THE PERFECT FULLY DEPLETION BONDED WAFER)

삼성전자 주식회사

10-1999-0031668

37

1999.08.02

웨이퍼 디펙트 분석기 (SUPER DEFECT ANALYZER FOR WAFER INSPECTION)

삼성전자 주식회사

10-1999-0031665

36

1999.06.16

대구경 웨이퍼 생산 처리 시스템 (PROCESSING SYSTEM FOR LONG DIAMETER WAFER)

삼성전자 주식회사

10-1999-0022449

35

1999.05.26

INSULATING-CONTAINING RING-SHAPED HEAT SHIELDS FOR CZOCHRALSKI PULLERS

삼성전자 주식회사

09/320,210

34

1999.05.26

CZOCHRALSKI PULLERS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS BY CONTROLLING TEMPERATURE AT THE CENTER AND EDGE OF AN INGOT-MELT INTERFACE

삼성전자 주식회사

09/320,102

33

1999.05.07

반도체 웨이퍼의 연마 방법 (METHOD OF GRINDING SEMICONDUCTOR WAFER)

삼성전자 주식회사

10-1999-0016389

32

1999.04.02

반도체 제조 방법의 잉곳 제조 방법 (A METHOD FOR FABRICATING INGOT OF SEMICONDUCTOR FABRICATINGMETHOD)

삼성전자 주식회사

10-1999-0011633

31

1999.04.02

반도체 장치의 잉곳 제조 방법 (A METHOD FOR FABRICATING INGOT OF SEMICONDUCTOR DEVICE)

삼성전자 주식회사

10-1999-0011632

30

1999.03.17

반도체 웨이퍼 제조 방법 (A METHOD OF FABRICATING SEMICONDCTOR WAFER)

삼성전자 주식회사

10-1999-0009060

29

1998.12.07

WAFER PACKAGING METHOD

삼성전자 주식회사

09/206,234

28

1998.09.23

반도체 장치 제조용 테스트 웨이퍼의 제조방법 (METHOD OF TEST WAFER FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES)

삼성전자 주식회사

10-1998-0039507

27

1998.04.22

METHOD OF ANALYZING SEMICONDUCTOR INGOT

삼성전자 주식회사

09/064,647

26

1998.02.13

PRODUCTION OF SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT AND WAFER BY ADJUSTING PULLING UP SPEED PROFILE IN HOT ZONE AND INGOT AND WAFER PRODUCED BY THE SAME

삼성전자 주식회사

1998030682

25

1998.02.10

핫존로에서의 인상속도 프로파일을 조절하여 단결정 실리콘 잉곳 및 웨이퍼를 제조하는 방법, 그에 따라 제조된 잉곳 및 웨이퍼 (PRODUCTION OF SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT AND WAFER BY ADJUSTING PULLING UP SPEED PROFILE IN HOT ZONE FURNACE AND INGOT AND WAFER PRODUCED BY THE SAME)

삼성전자 주식회사

10-1998-0003911

24

1998.02.06

SEMI-PURE MONOCRYSTALLINE SILICON WAFERS, PURE MONOCRYSTALLINE SILICON WAFERS AND A CZOCHRALSKI PULLER (핫존로에서의 인상속도 프로파일을 조절하여 단결정 실리콘 잉곳 및 웨이퍼를 제조하는 방법, 그에 따라 제조된 잉곳 및 웨이퍼)

삼성전자 주식회사

091115554

23

1997.12.29

웨이퍼의 포장방법 (METHOD FOR PACKAGING WAFER)

삼성전자 주식회사

10-1997-0076788

22

1997.12.12

METHODS OF MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS AND WAFERS BY CONTROLLING PULL RATE PROFILES IN A HOT ZONE FURNACE

삼성전자 주식회사

08/989,591

21

1997.11.26

METHODS OF HEATING-TREATING SEMICONDUCTOR WAFERS

삼성전자 주식회사

08/978,937

20

1997.11.24

METHODS OF TREATING CRYSTAL-GROWN WAFERS FOR SURFACE DEFECT ANALYSIS

삼성전자 주식회사

08/977,639

19

1997.10.24

반도체 잉곳 성장시 시드결정의 인상속도 최적화방법, 이를 적용한 반도체 잉곳 성장방법, 그에 따라 성장된 반도체 잉곳과반도체 웨이퍼 및 반도체장치

삼성전자 주식회사

10-1997-0054899

18

1997.05.23

ANALYZATION OF DEFECT OF WAFER

삼성전자 주식회사

1997150169

17

1997.04.23

반도체장치 제조용 베어 웨이퍼 분석방법 (ANALYSING METHOD OF BARE WAFER)

삼성전자 주식회사

10-1997-0015212

16

1997.03.27

반도체 생산공정의 품질관리 공정

삼성전자 주식회사

10-1997-0010932

15

1997.03.19

반도체용 배어 웨이퍼 상에 형성된 디펙트 분석방법 (DEFECT ANALYSING METHOD OF BARE WAFER)

삼성전자 주식회사

10-1997-0009294

14

1997.03.07

반도체 웨이퍼의 제조방법 (METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER)

삼성전자 주식회사

10-1997-0007777

13

1997.02.21

웨이퍼의 결함 분석방법

삼성전자 주식회사

10-1997-0005324

12

1997.02.06

웨이퍼의 결함 분석방법 (DEFECT ANALYSING METHOD FOR WAFER)

삼성전자 주식회사

10-1997-0003764

11

1997.01.16

반도체 웨이퍼 디펙트 분석방법 (ANALYSIS METHOD FOR A WAFER DEFECT)

삼성전자 주식회사

10-1997-0001149

10

1997.01.04

반도체 산화막 평가방법

삼성전자 주식회사

10-1997-0000064

9

1997.01.03

반도체 웨이퍼 상에 형성된 산화막질 분석방법

삼성전자 주식회사

10-1997-0000034

8

1996.12.27

반도체 웨이퍼상에 형성된 디펙트 분석방법

삼성전자 주식회사

10-1996-0074264

7

1996.12.13

반도체 배어 웨이퍼상에 형성된 디펙트 분석방법

삼성전자 주식회사

10-1996-0065387

6

1996.11.29

반도체 웨이퍼 열처리방법 및 이에 따라 형성된 반도체 웨이퍼 (Method of heat-treating semiconductor wafers and semiconductor wafers therewith)

삼성전자 주식회사

10-1996-0060025

5

1995.12.29

반도체 장치의 결함 분석방법 (DEFECT ANALYSIS METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE)

삼성전자 주식회사

10-1995-0066874

4

1995.12.22

실리콘 웨이퍼의 결함 감소 방법

삼성전자 주식회사

10-1995-0054695

3

1995.12.20

동데코레이션 장치 및 동 데코레이팅 방법 (A APPARATUS FOR Cu DECORATION AND DECORATING METHOD)

삼성전자 주식회사

10-1995-0052723

2

1990.05.31

초기 웨이퍼의 전 고온 열처리 방법 (HIGH TEMPERATURE ANNEALING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE)

삼성전자 주식회사

10-1990-0008200

1

1987.06.30

반도체 웨이퍼의 초기 산소농도 (OXYGEN CONCENTRATION METHOD OF SEMICONDUCTOR WAFER)

삼성전자 주식회사

10-1987-0006723

 

Recent Update: AUG. 04, 2017